1、可控硅二极管模块、整流桥及模块散热器

2、可控硅二极管分立器件及分立器件散热器

3、可控硅触发板、功率单元

4、阻容吸收模块

阻容吸收模块

(1)

5、无感电阻

无感电阻

(1)

进口元器件

1、IGBT模块

2、IGBT单管

3、IGBT驱动电路和IGBT驱动板

4、无感电容

5、电解电容

6、进口可控硅分立器件

7、进口二极管分立器件

8、进口可控硅模块、二极管模块

9、进口单相整流桥、三相整流桥

10、快恢复二极管

11、MOSFET

12、肖特基二极管

单三相整流桥

产品简介

单三相整流桥，是指一种模块封装中有四片、五片或六片可控硅或二极管管芯组成单相整流桥、三相整流桥。整流桥有多种连接方式，具体见以下文档。

产品详情

之四：单三相整流桥0.png

本公司自产

可控硅二极管模块

本公司采用进口管芯和国产优质管芯，严格按国际标准生产可控硅模块、二极管模块、整流桥模块及配套提供模块散热器。品种有：

之一，MT*系列单/双可控硅模块Single/Double Phase Control Thyristors Modules

之二，MF*系列可控硅二极管混合模块SCR/Diode Phase Control

之三，MD*系列单/双二极管模块Single/Double Diode Modules

之四，M*Q系列单相整流桥、M*S三相整流桥

之五，三可控硅模块、三整流管模块

之六，模块用散热器选型（点击某一类，可跳转至相应页面）

本页介绍之四，M*Q系列单相整流桥、M*S三相整流桥

说明

特点

① 芯片与底板电气绝缘；
② 国际标准封装；
③ 氮气保护焊接结构，优良的温度特性和功率循环能力；
④ 安装简单，使用维修方便；
⑤ 正向压降小；
⑥ 最高工作结温达150^oC。

典型应用

① 交直流电机控制
② 各种整流电源
③ 直流电源
④ 逆变电焊机
⑤ 电池充电直流电源
⑥ 开关电源的输入整流
⑦ 软启动电容器充电

说明

① VRSM=VRRM+200V；
② 除非另作说明，VFM、VISO为常温测试值，表中其他参数皆为在Tjm=150 °C下测试值；
③ I²t=I²FSM × tw/2,tw=正弦半波电流底宽，在50HZ下，I²t(10ms)=0.005I²FSM (A²S)；

外形尺寸

之四：单三相整流桥692.png

DQ1

之四：单三相整流桥786.png

DQ2

之四：单三相整流桥880.png

DQ3

之四：单三相整流桥974.png

DQ4

之四：单三相整流桥1069.png

DQ5

FQ2

之四：单三相整流桥1169.png

FQ5

之四：单三相整流桥1263.png

TQ2

之四：单三相整流桥1358.png

TQ5

之四：单三相整流桥1452.png

DS1

之四：单三相整流桥1547.png

DS2

之四：单三相整流桥1641.png

DS3

之四：单三相整流桥1736.png

DS4

之四：单三相整流桥1830.png

DS5

之四：单三相整流桥1924.png

FS2

之四：单三相整流桥2018.png

FS5

之四：单三相整流桥2113.png

TS2

之四：单三相整流桥2207.png

TS5

产品明细
① 单相桥：包括MDQ 单相整流桥，MFQ、MFQ(X)、MFQ(Z) 单相半控桥，MTQ 单相全控桥

内部电路图

之四：单三相整流桥2367.png

MDQ单相整流桥

之四：单三相整流桥2467.png

MFQ单相半控桥

之四：单三相整流桥2570.png

MFQ(X)单相半控桥

(带续流二极管)

之四：单三相整流桥2684.png

MFQ(Z)单相半控桥

(可控硅在同一侧)

之四：单三相整流桥2796.png

MTQ 单相全控桥

MDQ 单相整流桥
Type	Io (A)	VRRM	IRRM	IFAV (A)	IFSM	VFM	@IFM	I²t	Rjc	VISO	VF0	rF	SA	outline
Type	@100 ^oC	(V)	(mA)	@100 °C	(KA)	(V)	(A)	(A²S×10⁴)	(^oC/w)	(V)	(V)	(mΩ)	(cm²)	outline
MDQ 2O	20	600-1800	6	10	0.30	1.15	30	0.045	0.65	2500	0.80	11.6	800	DQ1
MDQ 40	40	600-1800	6	20	0.60	1.15	60	0.180	0.55	2500	0.80	5.83	1200	DQ2
MDQ 60	60	600-1800	6	30	0.90	1.15	90	0.405	0.53	2500	0.80	3.88	1800	DQ2
MDQ 80	80	600-1800	8	40	1.20	1.15	120	0.720	0.32	2500	0.80	2.91	2400	DQ3/DQ5
MDQ 100	100	600-1800	8	50	1.50	1.15	150	1.125	0.28	2500	0.80	2.33	3000	DQ3/DQ5
MDQ 150	150	600-1800	10	75	2.30	1.15	230	2.645	0.15	2500	0.80	1.52	4500	DQ4
MDQ 200	200	600-1800	10	100	3.00	1.15	300	4.50	0.13	2500	0.80	1.17	6000	DQ4

MFQ、MFQ(X)、MFQ(Z) 单相半控桥下表中，MFQ* 表示MFQ、MFQ(X)、MFQ(Z)中的任一种
Type	Io (A)	VDRM VRRM	IDRM IRRM	ITAV (A) IFAV (A)	ITSM IFSM	VTM VFM	@ITM @IFM	IGT	VGT	IH	dv/dt	di/dt	Rjc	VISO	VT0 VF0	rT rF	SA	outline
Type	@100^oC	(V)	(mA)	@100^oC	(KA)	(V)	(A)	(mA)	(V)	(mA)	(V/us)	(A/us)	(^oC/w)	(V)	(V)	(mΩ)	(cm²)	outline
MFQ* 40	40	600-1800	6	20	0.60	1.45/1.15	60	50	1.0	60	800	50	0.55	2500	0.80	10.8/5.83	1200	FQ2
MFQ* 60	60	600-1800	6	30	0.90	1.45/1.15	90	50	1.0	60	800	50	0.53	2500	0.80	7.22/3.88	1800	FQ2
MFQ* 80	80	600-1800	8	40	1.20	1.45/1.15	120	50	1.0	60	800	50	0.32	2500	0.80	5.42/2.91	2400	FQ5

MTQ 单相全控桥
Type	Io (A)	VDRM VRRM	IDRM IRRM	ITAV (A)	ITSM	VTM	@ITM	IGT	VGT	IH	dv/dt	di/dt	Rjc	VISO	VT0	rT	SA	outline
Type	@100 ^oC	(V)	(mA)	@100 ^oC	(KA)	(V)	(A)	(mA)	(V)	(mA)	(V/us)	(A/us)	(^oC/w)	(V)	(V)	(mΩ)	(cm²)	outline
MTQ 40	40	600-1800	8	20	0.60	1.45	60	50	1.0	60	800	50	0.55	2500	0.80	10.8	1200	TQ2
MTQ 60	60	600-1800	10	30	0.90	1.45	90	50	1.0	60	800	50	0.32	2500	0.80	7.22	2000	TQ5

② 三相桥：包括MDS 三相整流桥，MFS三相半控桥，MTS 三相全控桥