大家知道，IGBT是一种很有发展前途的新型电力半导体器件。在中、小容量电力电子应用方面有取代其他全控型电力半导体器件的趋势。那么IGBT如何选型呢?下面就由小编跟大家详细介绍下。
第一，IGBT的参数并不是一成不变的，所以不同的电路对其要求也是不一样的，尤其是开关器件对于IGBT的要求各不相同，比如对其额定电压的选择就是有很大差异的，但是基本上都会要求其额定电压要高于直流母线电压的两部，关于这一点，在选购IGBT的时候必须要清楚，并且根据IGBT规格的电压等级，选择1200V电压等级的IGBT。
第二，不同功率的变频器，其负载电流是不一样的，但是由于负载电器启动或者加速的是，其电流肯定是会过载的，比如在一分钟的时间之内很有可能需要承受1.5倍的过流，所以最大负载电流要比负载电流要高很多。
第三，变频器的开关频率一般小于10kHZ，而在实际工作的过程中，
IGBT的通态损耗所占比重比较大，建议选择低通态型IGBT，以30kW，逆变频率小于10kHz的变频器为例，选择IGBT的开关参数。
第四，影响IGBT的可靠性因素大概有两个，一个是栅电压，另一个就是Miller效应。GBT的工作状态与正向棚电压有很大关系，正向栅电压越高，开通损耗越小，正向压降也略小。而为了降低Miller效应的影响，在IGBT栅驱动电路中采用改进措施的。
由此可见，IGBT选型并不是很简单的事情，也并不是任何人都可以去做这件事情，因为如果对IGBT本身不甚了解，那么选择合适的
IGBT就比较困难。如果大家针对IGBT想要了解更多的信息，欢迎联系我们。
