可控硅晶闸管的过压过流保护措施

可控硅晶闸管具有体积小、反应速度快、以小功率控制大功率、效率高等优点。但同时，也具有过载能力较差，容易受干扰而误导通的缺点，无论是电压或是电流，只要有瞬时间超过可控硅本身的额定值，可控硅晶闸管就会造成永久性的损坏。因此，防止可控硅晶闸管出现过电压过电流故障，实行一些保护措施是非常有必要的。

1. 过压保护

       可控硅晶闸管产生过电压的原因主要有以下几种：一是设备在操作过程中产生的操作过电压。包括设备正常的拉闸、合闸等操作，以及线路通过间歇性电弧接地等非正常故障，都属于操作过电压，操作过电压是内部过电压的一种；还有因雷击等原因产生的外部浪涌和因供电系统内部设备的启停及供电网络运行故障产生的内部浪涌。为限制过电压的幅值能低于可控硅晶闸管本身的正反向峰值电压，可采取以下措施。

       可以在变压器一次侧接上浪涌保护器（防雷器），同时在二次侧装上阻容保护、硒堆保护、压敏电阻保护等非线性电阻元器件进行保护。对于容量较小的装置，建议使用阻容保护抑制过电压；而对于容量较大的装置，则可以选择硒堆保护或压敏电阻保护。

2、过流保护

   可控硅晶闸管在短时间内具有一定的过流能力，但在过流情况严重时，如不采取保护措施，就会造成可控硅晶闸管的损坏。产生过电流的原因主要分为两种，一种是整流器内部电路的原因，如：整流晶闸管因过电压被击穿而损坏，从而失去正、反向阻断能力；触发电路或控制系统出现故障等一系列原因。另一种是整流桥负载外电路发生短路而造成过电流。

    对于第一类整流桥内部电路原因而引起的过电流，一般可采取接入快速熔断器的方式，来保护可控硅晶闸管。第二种因整流桥负载外电路发生短路而造成过电流，则可以采用电子保护电路，检测设备的输入电流，当输入电流超过额定值时，借助整流触发控制系统使可控硅晶闸管在短时间内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电流的数值。