Mos管失效有哪些原因

Mos管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，也被称为金属-绝缘体-半导体，是一种在模拟电路和数字电路中广泛使用的场效晶体管。导致mos管失效一般有以下几种原因：

雪崩失效：雪崩失效也就是常说的电压失效，漏源间的BVdss电压超过MOSFET管的额定电压，并且超过达到一定的强度从而导致MOSFET管失效。

SOA失效：SOA失效也叫作电流失效，即电流超出MOSFET安全工作区而引起的失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大两种状况，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。

谐振失效：在并联过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。

静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备产生静电而导致的器件失效。

栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。

在这6种失效原因中，最为重要的是雪崩失效（电压失效）和SOA失效这两种，接下来就详细的分析这两种失效原因。

雪崩失效简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度，从而使MOSFET失效的一种常见失效模式。因此，从电压来考虑，就能有效的预防雪崩失效了。具体有以下几种操作方式：

1、合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。
    2、合理的变压器反射电压。
    3、合理的RCD及TVS吸收电路设计。
    4、大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。
    5、选择合理的栅极电阻Rg。
    6、在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。

SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上，造成局部瞬间发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。

SOA参数限定值主要受限于以下几个方面：受限于最大额定电流及脉冲电流；受限于最大节温下的RDSON；受限于器件最大耗散功率；受限于最大单个脉冲电流；击穿电压BVDSS限制区。因此，电源上的MOSFET，只要保证器件不超过以上限制区的限制范围，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。